【TechWeb】2月20日音讯，据外媒报说念，三星电子副会长兼联席CEO，厚爱存储芯片、晶圆代工等芯片业务的设备贬责决策业务部门主宰全永鉉（Jun Young Hyun），在上周详访了英伟达的总部。

从外媒的报说念来看，全永鉉上周赶赴英伟达的总部，是有紧要的业务，他佩戴有他们校正了设想的1b DRAM样品，1b DRAM将用于制造高带宽存储器（HBM）。

1b DRAM是第五代10nm制程工艺的DRAM，主若是用于制造HBM3E，三星电子旧年设想运行用1b DRAM制造高带宽存储器，但碰到了良品率和过热的问题，英伟达也因此条目三星电子校正他们1b DRAM的设想。全永鉉上周赶赴英伟达总部所佩戴的样品，恰是设想校正后的效劳。

外媒在报说念中提到，三星电子芯片业务部门的主宰躬行向客户展示样品特别目生，但这也突显了他们对英伟达及HBM3E订单的爱重。全永鉉躬行到英伟达总部，很可能如故为了确保来自英伟达的订单。

在报说念中，外媒还提到，在1b DRAM出现良品率和过热的问题之后，三星电子曾设想选择1a DRAM，也即是1b DRAM的前一代，制造HBM3E，在HBM4上则是跳过1b DRAM，选择1c DRAM，但英伟达如故条目他们选择1b DRAM制造HBM3E，三星电子方面也因此对1b DRAM的设想进行校正，以克服所碰到的问题。

HBM是英伟达为OpenAI、Meta、xAI等厂商供应的东说念主工智能芯片的紧要构成部分，较DRAM价钱更高，如果能取得英伟达的大单，就将大幅普及事迹。

与三星电子还在向英伟达提供样品、寻求取得订单不同，他们的竞争敌手SK海力士开yun体育网，也曾在向英伟达供应1b DRAM制造的HBM3E。（海蓝）